Учёные МФТИ решили проблему создания транзисторов на дисульфиде молибдена атомарной толщины

06.08.2026 12:39 Elec.ru Источник

Учёные МФТИ решили проблему подключения металлических электродов к дисульфиду молибдена толщиной в один атом. Разработанный метод с «туннельным буфером» из диоксида титана открывает путь к созданию транзисторов, превосходящих кремниевые аналоги по компактности, а также к гибкой и прозрачной электронике. Результаты опубликованы в журнале Vacuum.

Архив новостей ...



Библиографическая ссылка на ресурс "Онлайн Электрик":
Алюнов, А.Н. Онлайн Электрик : Интерактивные расчеты систем электроснабжения / А. Н. Алюнов. – Москва : Всероссийский научно-технический информационный центр, 2010. – EDN XXFLYN.


Отзывы, вопросы и ответы